Page 78 - KobiEfor_Aralik_2010

UZMAN Günefl enerjisi teknolojileri (3. k›s›m)
B u ay ki yaz›mda, sizlerle Ey- lar 330 ila 550 nm boyundaki ›fl›-
malar›, kadmiyum-tellür (CdTe)
lül, Ekim ve Kas›m aylar›nda-
ki yaz›lar›m›n devam› olarak,
günefl enerjisi teknolojileri konu- olanlar 330 ila 800 nm boyundaki
›fl›malar›, bak›r-indiyum (CIS) olan-
suna devam etmek istiyorum. Ge- lar 400 ila 850 nm boyundaki ›fl›-
çen ay ki yaz›mda sizlerle günefl- malar› etkin bir biçimde elektrik
ten gelen ›fl›n›mlar›n ›fl›k (foton) enerjisine dönüfltürmektedir. Tabiî
enerjisini kullanan Foto-Voltaik ki burada göz ard› edilmemesi ge-
sistemlere iliflkin teknik detaylar› reken nokta k›yaslanan tüm bu
paylaflm›flt›m. Bu ay ki yaz›mda panel teknolojilerinin, belirtilen bu
Foto-voltaik sistemlerin uygulama dalga boylar›na verdikleri ba¤›l yo-
alanlar›n› anlatarak günefl enerjisi ¤unluk “relative intensity” konu-
teknolojileri konusunu tamamla- sudur. Ba¤›l yo¤unluk grafi¤i pa-
mak istiyorum. nel üreticileri taraf›ndan haz›rlan-
Üretim teknolojisi itibari ile foto- maktad›r ve üretilmifl olan panel-
voltaik günefl panellerinin kristalin lerin hangi dalga boyundaki ›fl›ma-
(crystalin) paneller ve ince film larda daha verimli çal›flaca¤›n› be-
(thin-film) paneller olarak ikiye ay- lirtmektedir.
Sena Enerji Yön. r›ld›¤›n› geçen ay ki yaz›mda tek- Günefl panellerinin kullan›m alan-
Krl. Baflkan› nik detaylar›yla birlikte belirtmifl- lar›n›n, dalga boyu aç›s›ndan de-
¤erlendirilmesi kaç›n›lmaz bir ge-
tim. Kullan›m alanlar› bak›m›ndan
FAHRETT‹N bu iki farkl› panel teknolojisini flu rekliliktir. Çünkü GES kurulmas› ta-
TANINMIfi flekilde s›n›fland›rmak mümkün- sarlanan arazinin hava yo¤unlu¤u-
dür. Kristalin panellerin birim alan- na “air-mass” iliflkin de¤erler pa-
ftaninmis@senaenerji.com.tr
da verimleri, ince-film panellerle nel seçiminde de önem arz etmek-
k›yasland›¤›nda daha yüksek oldu- tedir ve hava yo¤unlu¤u direk ola-
¤undan dolay› GES (Günefl Enerji rak dalga boyunu etkilemektedir.
Günefl panellerinin Santral›) olarak kullan›lmak iste- ‹nce-film paneller, kristalin panel-
kullan›m nen alan›n küçük veya arazi kulla- lerle verimlilik aç›s›ndan k›yaslan-
n›labilirli¤inin s›n›rl› oldu¤u yerler- d›klar›nda daha düflük bir verime
alanlar›n›n, dalga de kullan›lmas› daha do¤ru bir sahip olmalar›na ra¤men; belirli
yaklafl›m olmaktad›r. Bu kapsam- bir dalga boyundaki ›fl›malara gö-
boyu aç›s›ndan da çat›lara kurulacak olan GES’ler- re k›yasland›klar›nda kristalin pa-
de¤erlendirilmesi de genellikle kristalin paneller ter- nellere göre daha verimli olabil-
cih edilmektedir. mektedirler. Bu nedenden dolay›
kaç›n›lmaz bir Bugünkü mevcut teknolojileri iti- dalga boyunun daha stabil ve ha-
bari ile kristalin panellerin nomi- va yo¤unlu¤unun daha kararl› ol-
gerekliliktir. Çünkü nal güçleri 175 Wp, 200 Wp , du¤u yerlerde ince-film panellerin
GES kurulmas› 210Wp ve 270 Wp de¤erlerine kullan›lmas› kristalin panellerin
ulaflm›flt›r. Bu de¤erlerin önümüz- kullan›lmas›ndan daha avantajl›
tasarlanan deki y›llarda, ilgili teknolojinin ge- olmaktad›r.
arazinin hava liflimine paralel olarak daha da GES olarak kullan›lan günefl enerji
tarlalar› gerek arazilerinin yeterin-
artmas› beklenmektedir. Böylece
yo¤unlu¤una birim alanda elde edilebilecek ce büyüklü¤e sahip olmas›, gerek-
olan elektrik enerjisi miktar› da ar- se üretilecek olan enerjinin ulusal
“air-mass” iliflkin tacakt›r. Bu noktada gözden kaç›- flebekeye verilecek olmas›ndan
de¤erler panel r›lmamas› gereken bir di¤er konu dolay›, y›l boyu üretilecek enerji-
ise günefl enerji panellerinin çal›fl- nin en üst seviyelere ulaflmas› he-
seçiminde de önem ma prensipleri itibari ile güneflten deflendi¤inden, günefl enerji tarla-
gelen ›fl›nlar›n dalga boylar› içeri- lar›nda ince-film panellerin kulla-
arz etmektedir ve sinden kulland›klar› bantt›r. n›lmas› daha avantajl› olmaktad›r.
hava yo¤unlu¤u Bu bant geniflli¤i konusunu biraz Çünkü dalga boyu uygunlu¤u sa¤-
daha detayland›racak olursak, land›¤›nda ince-film paneller bu-
direk olarak dalga kristalin paneller çal›flma teknolo- lutlu havalarda dahi enerji üretimi-
jileri itibariyle 380 ila 950 nano- ne devam edeceklerinden dolay›
boyunu metre (nm) boyundaki ›fl›malar›, y›l içerisinde ürettikleri enerji, kris-
etkilemektedir. ince-film paneller çal›flma teknolo- talin panellere göre daha fazla
jileri itibariyle amorf-silikon olan- olacakt›r.

78 KobiEfor Aral›k 2010